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画像はあくまで参考です製品仕様をご覧ください

SI4563DY-T1-GE3

Mfr# SI4563DY-T1-GE3
Mfr. Electro-Films (EFI) / Vishay
説明 MOSFET N/P-CH 40V 8A 8-SOIC
RoHS ステータス 鉛フリー/ RoHS準拠
より詳しい情報 Electro-Films (EFI) / Vishay SI4563DY-T1-GE3について
仕様書 SI4563DY-T1-GE3.pdf

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説明

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製品パラメータ

部品型番 SI4563DY-T1-GE3
メーカー Electro-Films (EFI) / Vishay
説明 MOSFET N/P-CH 40V 8A 8-SOIC
フリーステータス/ RoHS状態 鉛フリー/ RoHS準拠
在庫あり 4545 pcs
仕様書 SI4563DY-T1-GE3.pdf
同上@ VGS（TH）（最大） 2V @ 250µA
サプライヤデバイスパッケージ 8-SO
シリーズ TrenchFET®
同上、Vgsは@ RDSで、（最大） 16 mOhm @ 5A, 10V
電力 - 最大 3.25W
パッケージング Tape & Reel (TR)
パッケージ/ケース 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
運転温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
装着タイプ Surface Mount
水分感受性レベル（MSL） 1 (Unlimited)
鉛フリーステータス/ RoHSステータス Lead free / RoHS Compliant
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds 2390pF @ 20V
ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs 85nC @ 10V
FETタイプ N and P-Channel
FET特長 Standard
ソース電圧（VDSS）にドレイン 40V
詳細な説明 Mosfet Array N and P-Channel 40V 8A 3.25W Surface Mount 8-SO
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） 8A
ベース部品番号 SI4563

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