| Mfr# | GT400P10K |
|---|---|
| Mfr. | Goford Semiconductor |
| 説明 | MOSFET P-CH 100V 35A TO-252 |
| RoHS ステータス | |
| より詳しい情報 | Goford Semiconductor GT400P10Kについて |
| 仕様書 |
|---|
| 部品型番 | GT400P10K |
|---|---|
| メーカー | Goford Semiconductor |
| 説明 | MOSFET P-CH 100V 35A TO-252 |
| フリーステータス/ RoHS状態 | |
| 在庫あり | 33469 pcs |
| 仕様書 | |
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد | 2.5V @ 250µA |
| فغس (ماكس) | ±20V |
| تكنولوجيا | MOSFET (Metal Oxide) |
| تجار الأجهزة حزمة | TO-252 |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS | 35mOhm @ 10A, 10V |
| التأهيل | - |
| تبديد الطاقة (ماكس) | 106W (Tc) |
| حزمة / كيس | TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 |
| طَرد | Cut Tape (CT) |
| درجة حرارة التشغيل | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| تصاعد نوع | Surface Mount |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس | 3128 pF @ 50 V |
| درجة | - |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس | 41 nC @ 10 V |
| نوع FET | N-Channel |
| FET الميزة | - |
| محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على) | 4.5V, 10V |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss) | 100 V |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C | 35A (Tc) |

