放射線耐性メモリソリューション

Infineon Technologiesは、低い地球軌道（LEO）衛星アプリケーション向けに特別に設計された新しい範囲の放射線耐性メモリデバイスを導入し、急速に進化する新聞セグメントへのエントリをマークしています。グローバル接続、リモートセンシング、直接的なコミュニケーションなどのアプリケーションのために、数千のLEO衛星が引き続き展開されているため、コンパクトで費用効率が高く、信頼性の高いオンボード電子機器に対する需要が高まっています。

Geostationary Orbit（GEO）の従来の衛星とは異なり、LEO衛星はより低い放射線環境で動作し、通常はミッション寿命が短くなります。これにより、信頼性を損なうことなく、より商業的に実行可能な電子コンポーネントを使用できます。Infineonの新しいメモリポートフォリオは、ナノサットから250 kgのクラス衛星までの小さな衛星に合わせたコンポーネントでこれらのニーズに対応し、レオ星座のスケーラブルで経済的な展開を可能にします。


新しいメモリファミリには次のものが含まれます。

低電力、放射線耐性F-RAM
高密度QSPI NOR FLASH（256 MBITおよび512 MBIT）
256 Mbitおよび512 Mbit疑似統計RAM（PSRAM）
これらのデバイスは、サイズ、重量、電源、コスト（SWAP-C）に制約を伴う宇宙ミッション用に最適化されています。F -RAMは-55°Cから +125°Cの定格であり、50 KRAD（SI）の放射耐性を提供します。フラッシュとPSRAMは、それぞれ30 krad（SI）と100 krad（SI）の放射評価で-40°Cから +125°Cをサポートしていません。各デバイスは完全な電気テストを受け、単一のロット日付コードのトレーサビリティを提供します。

ポートフォリオのハイライトは、DRAMのように内部的に機能しながら静的RAMのように振る舞うユニークなハイブリッドであるPSRAMです。宇宙システムでのデータバッファリングに最適な電力効率の高いハイスループットソリューションを提供します。

このメモリラインナップを補完するのは、InfineonのIR Hirelグループの放射線耐性パワーデバイスのスイートです。これらには、30 krad（SI）と評価され、AEC-Q101規格に応じた60 Vおよび150 VおよびPチャンネル電源MOSFETが含まれます。